O fornecedor da Apple SK Hynix apresentou chips de memória flash NAND 3D de 72 camadas e 256 gigabits (Gb) baseados em matrizes de nível triplo. Ao empilhar 1,5 vezes mais células que a tecnologia anterior de 48 camadas da empresa, um único chip flash NAND de 256Gb pode representar 32 gigabytes de armazenamento com velocidade de operação interna duas vezes mais rápida e desempenho de leitura / gravação 20% mais rápido que um chip 3D NAND de 48 camadas.
O fornecedor produz chips NAND 3D de 256Gb 3D de 48 camadas desde novembro de 2016. Seus chips NAND 3D de 128Gb 3D de 36 camadas lançados em abril de 2016.
Seus chips mais recentes alcançam aproximadamente 30% a mais de produtividade na fabricação, empilhando mais células e utilizando as instalações de produção em massa existentes. SK Hynix irá produzi-los em volume no segundo semestre deste ano.
Os chips flash NAND a bordo dos modelos iPhone 7 e iPhone 7 Plus são de dupla origem da Toshiba e SK Hynix, com alguns modelos iPhone 7 apresentando os chips NAND 48 BiCS 3D BiCS da Toshiba que nunca foram vistos anteriormente em um produto comercial.
Outros modelos do iPhone 7 utilizam os chips flash da SK Hynix.
Foi descoberto que o desempenho do armazenamento em flash do modelo iPhone 7 de 32 gigabytes é mais lento que o de sua versão de 128 gigabytes, com os dados de leitura anteriores em 656 Mbps e o último em 856 Mbps. A diferença é mais acentuada ao testar o desempenho de gravação: o iPhone 7 de 32 GB grava dados em seus chips flash a cerca de 42 Mbps, enquanto o seu homólogo de 128 GB é oito vezes mais rápido, a 341 Mbps.
A diferença é atribuída à tecnologia 3D BiCS NAND da Toshiba usada no modelo iPhone 7 de 128GB. O BiCS, ou Bit Cost Scaling, armazena três bits de dados por transistor e empilha 48 camadas NAND em uma única matriz, proporcionando desempenho acelerado de leitura e gravação em comparação com a memória 2D.
Os chips flash Toshiba e SK Hynix usados para a família iPhone 7 são fabricados com tecnologia de processo de 15 nanômetros. Os modelos de iPhone 7 de 256 gigabytes usam uma pilha mais fina de oito matrizes de matrizes de 256 gigabit versus uma pilha de 16 matrizes de peças flash NAND de 128 gigabit.
A SK Hynix está entre os concorrentes da lucrativa unidade de chips flash da Toshiba.
Fonte: DigiTimes
