A DigiTimes estimou esta semana que os chips de memória flash para smartphones permanecerão em alta demanda ao longo de 2017, porque a escassez de suprimentos é supostamente "pior que o esperado", uma vez que os fabricantes de chips estão atualmente migrando da mais antiga NAND 2D para a mais nova tecnologia 3D NAND.
De acordo com uma reportagem divulgada na sexta-feira no jornal The Korea Herald, citando os analistas da Mirae Asset Daewoo Securities, a Toshiba pode desmembrar sua lucrativa unidade de flash NAND e vender a participação para a Western Digital, diminuindo a diferença de tecnologia e participação de mercado com sua maior rival, a Samsung Electronics.
"Se a cisão for confirmada, a condição financeira da unidade de chips da Toshiba será melhorada", disse Do Hyun-woo, analista da Mirae Asset Daewoo Securities.
"Isso permitirá que a empresa garanta mais capacidade de desenvolvimento e, assim, reduza a lacuna tecnológica com a Samsung".
A Toshiba aparentemente perdeu a liderança na tecnologia 3D NAND para a qual os fabricantes rivais estão atualmente em transição. Atualmente, a empresa está produzindo chips NAND 3D de 48 camadas usando estrutura em forma de U e tecnologia Bit-Cost Scalable. A produção em volume de chips NAND 3D de 64 camadas da Toshiba é esperada no primeiro semestre deste ano.
Se a empresa se unir à Western Digital, suas ações combinadas devem exceder a da Samsung, que atualmente domina o mercado de flash NAND 3D e é o principal player no mercado global de flash NAND, com uma participação de 36,6%.
A Toshiba e a Western Digital possuem uma participação estimada em 19,8% e 17,1% em DRAMeXchange. Western Digital, Micron Technology e SK Hynix completam a lista dos cinco principais fornecedores globais de chips flash NAND.
Além da Western Digital, outras empresas como a SK Hynix também podem demonstrar interesse em investimentos, prevê Do. O site de reparos iFixit encontrou componentes de flash NAND fabricados pela Toshiba no iPhone 7 e iPhone 7 Plus.
Os dois smartphones também usam flash NAND do fornecedor de longa data da Apple SK Hynix. A memória flash nas versões de 128 gigabytes dos telefones é uma pilha de 16 dados de peças de 128 Gb com blindagem EMI, fabricada com tecnologia de processo de 15 nanômetros.
Imagem de desmontagem do iPhone 7, cortesia de iFixit.
Fonte: The Korea Herald
